规格书 |
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文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 40V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8.2A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 27 mOhm @ 8.2A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 27nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1872pF @ 20V |
功率 - 最大 | 1.2W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | 8-SOICN |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
associated | FDS4685 |
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